Interaktiivinen laboratorio MOSFET-transistorien käyttäytymisen oppimiseen. Siirrä liukusäätimiä, seuraa piirin ja kuvaajien päivittymistä ja katso, miten hilajännite, kuormitus, taajuus ja lämpötila vaikuttavat todelliseen kytkentäpiiriin.
SISÄLTÖ
• Simulaattori: aseta hilajännite, tyhjennysjännite ja kuormaresistanssi sekä katso tyhjennysvirran (ID vs. VGS -käyrä) ja tehon päivitys reaaliaikaisessa piirikaaviossa.
• Portin latauslaboratorio: seuraa, miten portti latautuu ajan kuluessa, ja katso, mihin Millerin tasanne ilmestyy.
• Kytkentäanalysaattori: katso kytkentäaaltomuotoja ja miten hilaresistanssi muuttaa kytkentänopeutta ja häviöitä.
• PWM-moottorilaboratorio: ohjaa moottorikuormaa PWM:llä, säädä taajuutta ja käyttösuhdetta ja katso, miksi flyback-diodia tarvitaan.
• Lämpösimulaattori: seuraa liitoksen lämpötilan nousua ajan kuluessa eri ympäristön lämpötiloissa, virroissa ja jäähdytysrivan kooissa.
• 8 laskuria: hilavastus, tehohäviö, jäähdytysriva, kytkentähäviö, PWM, RDS(on)-häviö, hyötysuhde ja lämpö. • Tietokanta: kahdeksan yleisen osan tärkeimmät tekniset tiedot: IRFZ44N, IRLZ44N, IRF3205, IRF540, AO3400, 2N7000, BS170 ja IRL3705N.
• Opi: 10 lyhyttä oppituntia, jotka käsittelevät MOSFET-transistorien perusteita, rakennetta, N-kanavaa ja P-kanavaa, tehostus- ja tyhjennystilaa, hilalatausta, kytkentänopeutta, PWM-ohjausta, lämmönpoistoa ja tehoelektroniikkaa.
• Kaaviot, joita voit zoomata nipistämällä.
KENELLE SOPII
Elektroniikkaopiskelijoille, harrastajille ja valmistajille, jotka haluavat ymmärtää MOSFET-transistorin toiminnan ennen piirin rakentamista, sekä kaikille, jotka haluavat nopean arvion häviöistä tai lämmöstä.
HYVÄ TIETÄÄ
Simulaatioissa käytetään yksinkertaistettuja malleja, jotka on tarkoitettu oppimiseen ja karkeisiin arvioihin. Lopullisen suunnittelun saamiseksi tarkista aina valmistajan datalehti.
Opi MOSFETien toiminta simulaattoreiden, kuvaajien, laskinten ja lyhyiden oppituntien avulla.