Інтерактивна лабораторія для вивчення поведінки MOSFET-транзисторів. Переміщуйте повзунки, спостерігайте за оновленням схеми та графіків, а також перевірте, як напруга на затворі, навантаження, частота та температура впливають на реальну схему перемикання.
ЩО ВСЕРЕДИНІ
• Симулятор: встановіть напругу на затворі, напругу стоку та опір навантаження, а також перегляньте струм стоку (крива ID проти VGS) та оновлення потужності на реальній схемі.
• Лабораторія заряду затвора: відстежуйте, як затвор заряджається з часом, і перевірте, де з'являється плато Міллера.
• Аналізатор перемикання: перегляньте форми хвиль перемикання та те, як опір затвора змінює швидкість перемикання та втрати.
• Лабораторія ШІМ-двигуна: керуйте навантаженням двигуна за допомогою ШІМ, налаштуйте частоту та робочий цикл, а також з'ясуйте, чому потрібен діод зворотного типу.
• Симулятор нагрівання: спостерігайте за зростанням температури переходу з часом залежно від температури навколишнього середовища, струмів та розмірів радіатора.
• 8 калькуляторів: резистор затвора, розсіювання потужності, радіатор, втрати на перемикання, ШІМ, втрати RDS(увімкнення), ефективність та теплова стійкість.
• База даних: ключові характеристики 8 поширених компонентів: IRFZ44N, IRLZ44N, IRF3205, IRF540, AO3400, 2N7000, BS170 та IRL3705N.
• Вивчення: 10 коротких уроків, що охоплюють основи MOSFET, структуру, N-канал та P-канал, режим покращення та виснаження, заряд затвора, швидкість перемикання, ШІМ-керування, розсіювання тепла та силову електроніку.
• Принципові схеми, які можна збільшити пальцями.
ДЛЯ КОГО
Студенти-електроніки, аматори та виробники, які хочуть зрозуміти, що робить MOSFET, перш ніж складати схему, та всі, хто хоче швидко оцінити втрати або тепловиділення.
КОРИСНО ЗНАТИ
У моделюванні використовуються спрощені моделі, призначені для навчання та приблизних оцінок. Для остаточного проекту завжди перевіряйте технічні характеристики виробника.
Дізнайтеся, як працюють MOSFET, за допомогою симуляторів, графіків, калькуляторів та коротких уроків.